Un equipo de IBM Research demostró que es posible aumentar la capacidad de almacenamiento de una estructura de memoria alternativa, denominada, phase-change memory (PCM), en español, memoria de cambio de fase. Esta memoria, cuenta con 3 bits de datos en cada celda. Se cree que PCM es el futuro según muchos especialistas.
En el interior de un disco duro, un cabezal se mueve sobre un disco giratorio con una capa magnética fina escribiendo 0’s y 1’s. Para leer los datos, el cabezal se posiciona sobre los puntos y lee los 0’s y 1’s. Los dispositivos flash, son como los discos duros, pero con algunas diferencias. Usan chips de memoria flash, que son más pequeños, más ligeros y no tienen piezas que se muevan como el cabezal y el disco giratorio.
Para trabajar con bits, necesitamos tener básicamente un cambio de estado o fase que indique si está “on” y “off”, “arriba” o “abajo” y así sucesivamente. La memoria de cambio de fase (PCM) trabaja leyendo dos estados estables en un material que puede ser amorfo (sin una estructura atómica claramente definida) o cristalino (estructura atómica ordenada). La PCM lee las resistencias de los 2 estados (altos para amorfo y bajos para cristalino) que cambian aplicándoles una corriente. Se le aplicará al material un voltaje alto o medio para escribir y un voltaje bajo para leer.
Tal y como ocurre en los discos duros y dispositivos flash, PCM no es volátil, es decir, que la información se mantiene almacenada tras el corte eléctrico. La memoria PCM tiene una latencia mucho más baja que NAND, una lectura/escritura mucho más rápida, capaz de resistir 10 millones de ciclos de escritura. Para hacernos una idea, un pendrive USB, falla después de 3000 ciclos de escritura.
Según el Dr Haris Pozidis, principal científico investigador del IBM Research “PCM es la primera memoria universal con propiedades tanto de DRAM como de Flash, respondiendo así a uno de los grandes retos de nuestra industria”. “Llegar a los 3 bits por celda es un hito muy importante, ya que de esta forma el coste de PCM será bastante inferior a la DRAM y se aproximará a la Flash.”
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